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场效应MOS管FQP5N80C参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:2.0ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP5N80C是一款场效应晶体管(MOSFET),具有广泛的应用场景和突出的参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统中的应用:FQP5N80C可用作开关电源中的功率开关,用于稳定和调节电流和电压,确保电子设备的正常运行。

    2. 照明系统中的应用:在LED驱动和照明控制系统中,FQP5N80C作为功率调节器和开关元件,有效控制电流,提升能效。

    3. 电动汽车充电桩:在充电桩的直流充电模块中,FQP5N80C承担电能转换和功率控制的重要角色,保障充电效率和安全性。

    4. 工业自动化:应用于工控系统中的电源管理模块,FQP5N80C能够承受较高的电压和电流,保证设备长时间稳定运行。

    5. 消费电子产品:如电视、音响等家电设备的电源管理电路中,FQP5N80C的高效能特性有助于提升产品的性能和可靠性。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:典型导通电阻仅为几欧姆,有效降低功率损耗,提高效率。

    2. 高耐压能力:耐受高达800V的漏电压,适合于高压环境下的应用需求。

    3. 低开启电压:开启电压低至数伏,有助于快速响应和减小开关损耗。

    4. 大电流承受能力:能够承受数十安培的电流,适合大功率负载的控制和驱动。

    5. 热稳定性优良:具备良好的热导性能和稳定性,适用于高温工作环境下的长时间使用。

    综上所述,FQP5N80C作为一款性能优越的MOSFET,不仅在各种电子设备中广泛应用,而且在提升能效和性能稳定性方面发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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