收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQP5N60C参数

场效应MOS管FQP5N60C参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQP5N60C是一种N沟道增强型功率MOSFET,具有高效能和低损耗的特点,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统。以下将详细介绍FQP5N60C的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP5N60C常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器中。其低导通电阻和快速开关速度使其成为高效电源转换的理想选择。

    2. 工业控制设备:在工业自动化和控制系统中,FQP5N60C用于驱动电机、控制继电器和执行其他高电流负载的操作。其高耐压特性确保了在苛刻环境下的稳定运行。

    3. 家用电器:FQP5N60C在家用电器中也有广泛应用,如空调、洗衣机和冰箱的电机控制电路。其高效能和可靠性提高了家电的性能和寿命。

    4. LED照明:在LED驱动电路中,FQP5N60C用于控制LED的开关和调光操作。其低导通损耗有助于提高LED照明系统的效率。

    5. 汽车电子:FQP5N60C还应用于汽车电子系统中,如电动座椅调节、车窗控制和照明系统。其稳定的电气性能满足了汽车电子的严格要求。

    二、参数特点:

    1. 高耐压性:FQP5N60C具有600V的击穿电压,这使其能够在高压环境下安全工作,适用于各种高压应用场景。

    2. 低导通电阻:其典型导通电阻仅为1.2欧姆,导通损耗小,有助于提高整个电路的效率并减少发热。

    3. 高开关速度:FQP5N60C的开关速度非常快,典型的开关时间仅为几十纳秒。这一特性使其适用于需要快速响应的电源转换和调节应用。

    4. 高脉冲电流能力:该型号的MOSFET具有较高的脉冲电流处理能力,能承受高达20A的脉冲电流,适用于瞬态高电流的负载环境。

    5. 优良的热性能:FQP5N60C的热阻低,有助于在高功率应用中有效散热,保证元件的长期可靠运行。

    综上所述,FQP5N60C凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度等优良特性,在电源管理、工业控制、家用电器、LED照明和汽车电子等领域具有广泛的应用前景。其优越的性能参数为各种电子设备的高效能和可靠性提供了有力保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号