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场效应MOS管FQP5N50C参数

PD最大耗散功率:100WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP5N50C是一种高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQP5N50C常用于功率转换和电压调节,能够高效地处理高电压和大电流,确保电源稳定运行。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,FQP5N50C能够快速开关和调节电流,提供精确的控制和高效的能量传输,适用于各种工业和家用电机驱动场合。

    3. 照明设备:FQP5N50C在LED驱动电路中表现出色,能够提供稳定的电流输出,保证照明设备的长寿命和高亮度。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,FQP5N50C具有高效的功率转换能力,适用于太阳能和风能等可再生能源系统,提高能量利用率。

    5. 电池管理系统:在电池充放电管理中,FQP5N50C可以精确控制电流,防止过充或过放,延长电池寿命。

    二、参数特点:

    - 高耐压:FQP5N50C的漏源极最大电压为500V,使其能够在高压应用场景中稳定工作。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻为1.6Ω,导通损耗低,提升了整体电路的效率。

    - 高开关速度:FQP5N50C具备快速的开关能力,开关时间通常在几十纳秒级别,适用于高频应用。

    - 大电流处理能力:最大连续漏极电流为4.6A,适合大功率场合使用,能够处理较大的电流需求。

    - 热性能优越:其结到环境热阻为62.5°C/W,良好的热性能确保了器件在高功率密度情况下的可靠运行。

    综上所述,FQP5N50C作为一种高性能的N沟道MOSFET,在开关电源、电机驱动、照明设备、逆变器和电池管理系统等多种应用场景中表现出色,具有高耐压、低导通电阻、高开关速度、大电流处理能力和优越的热性能等多项优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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