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场效应MOS管FQP55N06C参数

PD最大耗散功率:113WID最大漏源电流:55AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.016ΩVRDS(ON)ld通态电流:27.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP55N06C是一款常见的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电源管理和功率放大电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:在无线基站、路由器以及其他网络设备中,FQP55N06C能够保证设备稳定运行,处理电源管理和信号放大。

    2. 汽车电子:用于电动汽车充电桩、电池管理系统和动力总线管理中,FQP55N06C能够管理高功率传输和电池充电。

    3. 工业应用:在工业自动化控制系统中,FQP55N06C能够处理高功率负载和电机驱动需求。

    4. 照明系统:用于LED驱动和高亮度照明应用,FQP55N06C确保电源管理和高效能操作。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQP55N06C典型导通电阻仅为20 mΩ,减少功率损耗。

    - 高开关速度:FQP55N06C具有快速开关特性和低输入电容,适用于高频率电源管理电路。

    - 高耐压能力:FQP55N06C额定耐压55V,处理电压波动和峰值电压。

    - 优良的热特性:FQP55N06C通过低热阻和良好的散热设计,保持较低工作温度。

    - 可靠的电气特性:FQP55N06C具有良好的开关特性和稳定的电气参数,确保设备稳定运行。

    通过这些特点和应用场景,FQP55N06C在电源管理和功率控制领域中具有重要的地位,为各种电子设备提供稳定可靠的功率控制解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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