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MOS管FQP50N06L参数

PD最大耗散功率:121WID最大漏源电流:52.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.021ΩVRDS(ON)ld通态电流:26.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:40SGfs(min)VDS漏源电压:25VGfs(min)lo通态电流:26.2A

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    FQP50N06L是一款在各种电子设备和电力系统中广泛使用的N沟道功率MOSFET。由于其优异的性能特点,它在多个应用场景中展现了卓越的优势。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统中,FQP50N06L被用作开关元件,能够高效地管理电池的充放电过程,确保电池的安全和高效运行。

    2. 电源管理:在计算机和服务器的电源供应系统中,FQP50N06L用于高效的DC-DC转换,提供稳定的电压输出,并提高整体系统的能效。

    3. 家用电器:例如洗衣机、冰箱和微波炉等家用电器,FQP50N06L被用于控制电机和加热元件,提升设备的能效和可靠性。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQP50N06L作为逆变器的关键组件,能够高效地将直流电转换为交流电,提升太阳能利用效率。

    5. 工业控制:在工业自动化设备中,FQP50N06L用于驱动电机和控制高功率负载,保证设备的稳定运行和长寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQP50N06L的导通电阻仅为18毫欧(典型值),这意味着它在工作时的损耗非常低,有助于提高系统的整体效率。

    - 高脉冲电流能力:它能够承受高达200A的脉冲电流,使其在需要大电流的应用中非常适用。

    - 快速开关速度:FQP50N06L具有快速的开关速度,能够在极短时间内完成导通和关断操作,这对于高频开关电源和高速电路应用非常重要。

    - 低栅极电荷:该器件的栅极电荷仅为44nC(典型值),这使得它可以在较低的驱动电压下高效工作,进一步降低了功耗。

    - 耐高压特性:FQP50N06L的漏源电压最大值为60V,确保其在中等电压应用中具有良好的可靠性和稳定性。

    通过这些详细的参数和特点,我们可以看出,FQP50N06L不仅具备优异的电气性能,还在多种应用场景中表现出色,为现代电子设备的高效运行提供了有力保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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