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MOS管FQP4N90C参数

PD最大耗散功率:47WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:4.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:5SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:2A

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    FQP4N90C是一种功率场效应晶体管(MOSFET),常见于各种电源和功率放大电路中。它具有一系列特点,适用于多种应用场景。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQP4N90C常用于通信设备中的功率放大和开关电源设计,保证设备的高效稳定运行。

    2. 汽车电子:在汽车电子系统中,FQP4N90C可用于驱动电机、控制电源等,提高汽车电子系统的性能和效率。

    3. 工业控制:在工业控制系统中,FQP4N90C用于驱动电机、控制开关电源等,确保设备的稳定运行。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FQP4N90C用于转换太阳能电池板输出的直流电能为交流电能,提高能源转换效率。

    5. LED照明:在LED照明系统中,FQP4N90C可用作LED驱动器的关键部件,实现LED灯的亮度调节和开关控制。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FQP4N90C具有低导通电阻,能够提供高效率的功率转换。

    2. 高耐压特性:该器件具有较高的耐压能力,适用于高压电路和应用场景。

    3. 高工作频率:FQP4N90C具有较高的工作频率,适用于需要高速开关操作的电路和系统。

    4. 可靠性:该器件经过严格的质量控制和可靠性测试,具有良好的稳定性和可靠性。

    5. 低开关损耗:FQP4N90C能够实现较低的开关损耗,有助于减少能源浪费和提高系统效率。

    综上所述,FQP4N90C是一款功能强大且性能稳定的功率场效应晶体管,广泛应用于通信、汽车、工业和能源领域,为各种电路和系统提供可靠的功率控制和转换。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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