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场效应MOS管FQP4N65C参数

PD最大耗散功率:106WID最大漏源电流:4V(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP4N65C是一款高压功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,具有多种应用场景和优越的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQP4N65C通常作为主功率开关器件使用。其高效的开关性能和低导通电阻使其在降低能耗和提高电源效率方面表现出色。

    2. LED驱动器:FQP4N65C在LED驱动器中也有着广泛应用。由于LED驱动需要稳定且高效的电流管理,FQP4N65C的高电流处理能力和稳定性能确保了LED驱动器的可靠性和寿命。

    3. 电池管理系统:在电池管理系统中,FQP4N65C可以用于控制充放电过程,保护电池免受过充和过放的损害。其高压耐受能力和低漏电流特性保证了系统的安全性和效率。

    4. 电动工具:FQP4N65C在电动工具中作为电机控制开关使用,其高电流处理能力和快速开关速度有助于提高工具的性能和可靠性。

    5. 家用电器:在家用电器如微波炉、洗衣机等设备中,FQP4N65C用于控制电机和加热元件,其高可靠性和低导通电阻确保了家电的高效运行和长寿命。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQP4N65C的最大漏源极击穿电压(BVDSS)为650V,使其能够在高压环境下稳定工作,适用于需要高压控制的应用场景。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(RDS(on))为1.7Ω,这意味着在导通状态下,FQP4N65C具有较低的电压降和功耗,从而提高了系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:FQP4N65C的最大漏极电流(ID)为4A,这使其能够处理较大的电流负载,适用于需要高电流传输的应用。

    - 快速开关速度:FQP4N65C的开关速度非常快,这有助于减少开关损耗和提高效率,尤其在高频开关电源和电机控制中表现尤为突出。

    - 低栅极电荷:FQP4N65C的总栅极电荷(Qg)较低,这减少了驱动电路的负担,提高了系统的响应速度和效率。

    综上所述,FQP4N65C凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度以及低栅极电荷等特点,成为电子设备中不可或缺的高性能元器件。其广泛的应用场景和优越的参数特性,使得FQP4N65C在开关电源、LED驱动器、电池管理系统、电动工具和家用电器等领域发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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