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场效应MOS管FQP45N10参数

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    FQP45N10是一种常用于电子电路中的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。其应用场景广泛,涵盖了从电源管理到电机控制的多个领域。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP45N10在开关电源和直流-直流转换器中非常常见。其高效能的特性使其在处理高频开关操作时,能够显著减少功率损耗,提升系统效率。

    2. 电机控制:在电动机驱动电路中,FQP45N10被用来作为电子开关,用于控制电动机的启停及速度调节。其高电流承载能力和快速开关特性,使其在高功率电动机应用中表现出色。

    3. 音频放大器:FQP45N10还可用于音频放大器电路中,充当输出级功率放大器。其低导通电阻和高电流能力确保了音频信号的高保真放大。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FQP45N10用于转换直流电压到交流电压。其高效率和高可靠性使其在太阳能系统中成为理想的选择。

    5. 电池管理系统:FQP45N10在电池管理系统中,用于控制充电和放电过程。其低导通电阻确保了最小的功率损耗,提高了系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 最大漏极电流(ID):FQP45N10的最大连续漏极电流为45A。这意味着它可以处理高电流负载,适合需要高功率的应用场合。

    - 最大漏源电压(VDS):FQP45N10的最大漏源电压为100V,这使其能够在较高电压环境下稳定工作,适用于需要处理高电压的电路。

    - 导通电阻(RDS(on)):在10V栅极驱动电压下,FQP45N10的典型导通电阻为0.024Ω。这一低导通电阻确保了在大电流通过时,功率损耗保持在最低水平,提高了效率。

    - 栅极电荷(Qg):FQP45N10的总栅极电荷为67nC(典型值)。较低的栅极电荷意味着它在开关时能迅速响应,适用于高频开关应用。

    - 工作结温(TJ):FQP45N10的工作结温范围为-55°C至+175°C,这使得它在极端温度条件下依然能保持稳定的性能。

    综上所述,FQP45N10凭借其高电流承载能力、高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性,成为电源管理、电机控制、音频放大器、太阳能逆变器和电池管理系统等多种应用中的理想选择。这些参数特点不仅确保了其在高功率、高频率应用中的优越表现,也提升了整个系统的可靠性和效率。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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