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场效应MOS管FQP3N90C参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:3V(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:4.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP3N90C是一种非常流行的高压N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQP3N90C常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。它能够高效地处理高电压和大电流,从而提高电源转换效率,并减少能量损耗。

    2. 照明系统:在LED驱动电路中,FQP3N90C用于调节电流和电压,确保LED灯具能够稳定工作,延长使用寿命。

    3. 电机驱动:由于其高耐压和快速开关速度,FQP3N90C被广泛应用于电机控制电路中,特别是在工业和消费类电机控制领域。

    4. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统中,FQP3N90C用于控制和保护电池组,确保电池的安全性和稳定性。

    5. 家用电器:在空调、冰箱等家用电器中,FQP3N90C作为关键的开关元件,帮助实现高效的电能管理和控制。

    二、参数特点:

    - 耐压高:FQP3N90C的漏源极最大耐压(Vds)为900V,这使得它非常适合高压应用场景,如电源管理和照明系统。

    - 导通电阻低:其典型导通电阻(Rds(on))仅为1.9欧姆,在较低的栅极驱动电压下依然能保持低导通电阻,从而减少了功率损耗,提高了整体效率。

    - 电流能力强:FQP3N90C的最大漏极电流(Id)为3A,能够处理较大的电流负载,适合高功率应用。

    - 快速开关速度:得益于其MOSFET结构,FQP3N90C具有非常快速的开关速度,使其在高频应用中表现优异,如开关电源和高频变换器。

    - 热稳定性好:FQP3N90C具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,适用于严苛的工业环境和苛刻的工作条件。

    综上所述,FQP3N90C以其高耐压、低导通电阻、强电流能力、快速开关速度和优异的热稳定性,在电源管理、照明系统、电机驱动、电动汽车和家用电器等领域得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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