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场效应MOS管FQP3N80C参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:3V(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:4.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP3N80C是一款具备卓越性能的N沟道增强型MOSFET,其应用广泛,主要涵盖了高效电源管理、逆变器、电机控制等多个领域。在本文中,将详细介绍FQP3N80C的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 高效电源管理:FQP3N80C常被用于高效电源管理系统中,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。由于其低导通电阻和高击穿电压,这款MOSFET在高效转换中表现出色,能够减少功耗,提高系统整体效率。

    2. 逆变器:在逆变器应用中,FQP3N80C能够处理高电压、高电流的转换任务,确保输出稳定。其高击穿电压和快速开关速度使其成为逆变器设计中的理想选择,特别是在光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中。

    3. 电机控制:FQP3N80C也广泛应用于电机控制领域,如电动工具和家电中的电机驱动。其高脉冲电流处理能力和低导通电阻特点,使其能够在高频开关操作中保持高效运行,保证电机的平稳启动和运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQP3N80C具备800V的高击穿电压,使其在处理高电压应用时具备极高的安全裕度。这样的高击穿电压确保了在各种复杂的电气环境中,MOSFET能够稳定工作,不易损坏。

    - 低导通电阻:FQP3N80C的导通电阻仅为3.5欧姆,在低导通电阻的设计下,能有效减少功率损耗,提高系统效率。这一特点在需要高效能量转换的应用中尤为重要。

    - 高脉冲电流处理能力:该MOSFET还具备高脉冲电流处理能力,峰值脉冲电流可达12A,这使得FQP3N80C在需要处理瞬态大电流的应用中表现卓越,如电机驱动和高频开关电源。

    - 快速开关速度:FQP3N80C拥有快速的开关速度,典型值为45ns,这对高频操作至关重要。快速的开关速度不仅能提高系统的响应时间,还能降低开关损耗,从而提高整体效率。

    - 耐用性和可靠性:由于采用了先进的制造工艺,FQP3N80C在耐用性和可靠性方面表现优异。其坚固的构造使其能够在恶劣环境下长期稳定运行,减少了维护和更换的频率。

    综上所述,FQP3N80C凭借其卓越的性能和多样的应用场景,成为电子工程师们在设计高效电源管理、逆变器和电机控制系统时的首选元件。其高击穿电压、低导通电阻、高脉冲电流处理能力、快速开关速度以及耐用性和可靠性,使其在众多应用中脱颖而出,展现出极高的实用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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