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场效应MOS管FQP34N20参数

PD最大耗散功率:180WID最大漏源电流:31AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.075ΩVRDS(ON)ld通态电流:15.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP34N20是一款高效的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP34N20常被用作开关器件,以提高转换效率和减少能量损失。其低导通电阻和快速开关特性使其成为电源管理应用中的理想选择。

    2. 电机驱动器:FQP34N20在电机控制电路中用作开关元件,帮助实现高效的电能转换和精确的电机控制。它的高电流处理能力和耐高压特性使其适用于各种类型的电机,包括步进电机和直流电机。

    3. 照明系统:在LED驱动电路中,FQP34N20用于调节电流,以确保稳定和高效的照明。其快速响应特性有助于实现精确的电流控制,从而延长LED的使用寿命并提高整体效率。

    4. 可再生能源系统:FQP34N20在太阳能逆变器和风能转换器中发挥关键作用。它们用于管理从可再生能源获取的电力,确保高效的能量转换和稳定的输出。

    5. 消费电子产品:在电脑、电源适配器和各种家用电器中,FQP34N20用于电源管理和保护电路,提供可靠的性能和高效的电力转换。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQP34N20具有200V的漏源极耐压能力(Vds),能够承受较高的电压,适用于高压应用场景。

    - 导通电阻:该器件的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为0.068Ω。这使得在导通状态下的能量损失减少,提高了整体电路的效率。

    - 电流处理能力:FQP34N20的连续漏极电流(Id)为17A,这意味着它能够处理大电流应用,适合用作大功率开关元件。

    - 开关速度:FQP34N20具有快速的开关特性,栅极电荷(Qg)为45nC。这一特性使其在高频开关应用中表现优越,能够快速响应控制信号。

    - 热性能:该器件的结温最大值为175°C,具有良好的热稳定性和耐高温能力。配合适当的散热设计,FQP34N20可以在高温环境下可靠工作。

    综上所述,FQP34N20凭借其优异的电气性能和可靠的结构设计,广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统、可再生能源系统以及消费电子产品中。其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优良的热性能,使其成为各类电子电路设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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