PD最大耗散功率:156WID最大漏源电流:28AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.082ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,FQP32N20C常被用作主开关器件。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电源转换的高效率和稳定性。
2. 电机驱动:FQP32N20C在电机控制电路中表现优异,能够有效控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性使其能够处理高频信号,提高系统响应速度。
3. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FQP32N20C用于输出级放大,能够提供大功率输出并保持低失真。这对音频设备的音质提升有显著贡献。
4. 太阳能逆变器:FQP32N20C在太阳能光伏系统中用于逆变器部分,负责将直流电转换为交流电。其高效能和耐用性使其在这一领域表现出色。
5. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统中,FQP32N20C用于管理电池充放电过程,确保电池的安全性和使用寿命。
二、参数特点:
- 导通电阻(RDS(on))低:FQP32N20C的典型导通电阻为0.08欧姆,这意味着它在导通状态下具有较低的功率损耗,有助于提高系统的整体效率。
- 高电流处理能力:其最大漏极电流(ID)为32A,这使得FQP32N20C能够处理较大的负载电流,非常适合高功率应用场景。
- 耐高压:FQP32N20C的漏源极耐压(VDSS)为200V,能够在高压环境下稳定工作,适用于需要高耐压能力的电源管理和逆变器应用。
- 开关速度快:FQP32N20C的开关时间(ton和toff)非常短,这使其在高频应用中能够快速响应,有效减少延迟,提高系统性能。
- 封装形式:FQP32N20C采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能,便于安装和集成,适合在需要高散热的应用中使用。
综上所述,FQP32N20C凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为电子工程师在设计高效、可靠电子设备时的首选器件。其在电源管理、电机驱动、音频放大、太阳能逆变器以及电动汽车等领域的表现,充分展示了其作为功率MOSFET的卓越性能和广泛适用性。
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