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场效应MOS管FQP2N90C参数

PD最大耗散功率:75WID最大漏源电流:2V(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP2N90C是一款高压场效应晶体管,具有多种应用场景和独特的参数特点。下面将详细介绍FQP2N90C的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP2N90C在开关电源中经常用作主开关器件。由于其高耐压特性和低导通电阻,可以有效提升开关效率和降低能量损耗。

    2. 电源管理系统:FQP2N90C常用于电源管理系统中,如DC-DC转换器,能够在高压条件下稳定工作,确保系统的可靠性和效率。

    3. 工业控制:在工业控制系统中,FQP2N90C可以用于电机控制和其他高功率设备的驱动电路,提供可靠的电流输出。

    4. 家用电器:FQP2N90C也广泛应用于家用电器中,如洗衣机、空调等需要高压控制的设备,确保设备运行的稳定性和安全性。

    5. 照明设备:在LED驱动电路中,FQP2N90C常用于驱动高功率LED灯,提供稳定的电流和电压控制。

    二、参数特点:

    - 高耐压:FQP2N90C具有高达900V的漏源击穿电压(BVDSS),适用于高压环境,能够有效防止击穿现象的发生。

    - 低导通电阻:该晶体管的导通电阻(RDS(on))较低,在典型条件下为5Ω,这使得其在导通状态下具有较低的功耗和热损失。

    - 大电流处理能力:FQP2N90C的最大连续漏极电流(ID)为2A,能够处理较大的电流负载,适用于高功率应用场景。

    - 快恢复时间:该晶体管的开关速度较快,具有较短的恢复时间,有助于提高电路的工作频率和效率,减少开关损耗。

    - 高可靠性:FQP2N90C的设计和制造工艺确保了其在高压、高温等恶劣环境下的稳定工作,具有较高的可靠性和长寿命。

    综上所述,FQP2N90C凭借其高耐压、低导通电阻和高可靠性,在多个领域得到广泛应用。无论是开关电源、电源管理系统,还是工业控制、家用电器和照明设备,FQP2N90C都能提供卓越的性能和稳定的工作表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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