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场效应MOS管FQP2N80C参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:2V(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP2N80C是一款常见的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其应用广泛,参数特点也十分突出。本文将详细介绍FQP2N80C的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP2N80C在开关电源中被广泛使用,主要用于转换和调节电压。它的高电压和电流承载能力使其非常适合用于AC-DC和DC-DC转换器中。

    2. 电动机驱动:由于FQP2N80C具有快速开关速度和高效能,它被广泛应用于电动机驱动电路中,能够提高电动机的效率并减少能量损耗。

    3. 照明控制:在现代LED照明系统中,FQP2N80C常用于调节灯光亮度和开关控制。其稳定的性能确保了照明系统的可靠性和长寿命。

    4. 音频放大器:在音频放大器电路中,FQP2N80C被用来提供稳定的电源和高效的信号放大,确保高质量的音频输出。

    5. 太阳能逆变器:FQP2N80C在太阳能逆变器中起到关键作用,帮助将直流电转换为交流电,并提高转换效率,从而最大化太阳能系统的输出。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FQP2N80C具有高达800V的漏源电压(Vds),使其能够在高压环境下稳定运行,不易击穿。

    - 低导通电阻:它的导通电阻(Rds(on))仅为1.6Ω(典型值),这意味着在导通状态下产生的功率损耗非常低,提升了整体电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:FQP2N80C能够承受高达10A的脉冲电流,这使其在处理瞬态大电流时具有显著优势,适用于各种高脉冲电流应用。

    - 快速开关速度:FQP2N80C的开关速度非常快,通常为纳秒级。这有助于提高电路的开关效率,并减少开关损耗。

    - 热稳定性好:它具有良好的热稳定性,能够在宽温度范围内稳定工作,确保在高温条件下也能保持优异的性能。

    综上所述,FQP2N80C凭借其优异的性能和广泛的应用场景,成为电子工程师们的理想选择。无论是在开关电源、电动机驱动,还是在照明控制、音频放大器和太阳能逆变器中,FQP2N80C都能提供可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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