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场效应MOS管FQP15N60C参数

PD最大耗散功率:38.5WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.65ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP15N60C是一款功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于各种电力电子设备和工业控制系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQP15N60C在通信设备中用于电源管理和功率控制,确保设备稳定运行。

    2. 工业控制系统:FQP15N60C被广泛应用于工业自动化系统中的电机控制和电源逆变。

    3. 电动工具:在高功率电动工具中,如电钻和电锤,FQP15N60C作为功率开关件,提供高效能驱动。

    4. 电动车充电系统:用于电动车辆的充电系统中,FQP15N60C能够处理高电流和高压,保障充电效率和安全性。

    5. 逆变器:在太阳能逆变器和UPS系统中,FQP15N60C的高电压承受能力和低导通损耗,确保系统高效运行。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FQP15N60C的典型值为1.5欧姆,有效减少能量损耗和发热。

    2. 高电流承受能力(ID):最大电流承受能力达15安培,适合处理大功率设备和系统的电流需求。

    3. 高电压耐受能力(VDS):额定耐受电压为600伏,能够安全操作在高电压环境中。

    4. 快速开关速度:FQP15N60C具备快速开关特性,微秒级完成通断,适合高频率操作。

    5. 温度稳定性:在不同工作温度下保持稳定的电性能,适应各种环境的长期稳定运行。

    综上所述,FQP15N60C作为一款高性能功率MOSFET,不仅在电力电子和工业控制领域有着广泛应用,其优越的参数特性也使其成为各种高功率、高效率电路设计的首选之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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