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场效应MOS管FQP14N80参数

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    FQP14N80是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP14N80常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,作为开关元件。这种MOSFET具有高压、高效的特点,能有效减少能量损耗,提高转换效率。

    2. 电机驱动器:在电机驱动电路中,FQP14N80用作控制电流的开关元件,尤其适用于直流电机和无刷电机的控制系统。它的快速开关速度和高电流承载能力,使得电机能够平稳运行,并减少电磁干扰。

    3. 照明系统:FQP14N80在高效LED照明驱动器中也有广泛应用。它能够提供稳定的电流,并有效地控制LED的亮度和开关频率,从而延长LED的使用寿命,降低功耗。

    4. 逆变器和变频器:这种MOSFET在逆变器和变频器中,用于控制交流电输出的频率和电压,适用于太阳能逆变器和工业变频器。这种应用场景要求MOSFET具备高效能和高耐压特性,以确保设备稳定运行。

    5. 保护电路:在过压保护和浪涌保护电路中,FQP14N80通过快速响应特性,能够有效防止过电流和过电压对设备的损害,保护电路的安全运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQP14N80的漏源击穿电压(BVDSS)高达800V,适用于高压应用场景。这意味着它能够承受高达800伏的电压而不发生击穿,非常适合需要高电压操作的电路。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(RDS(on))为1.0欧姆,导通时电阻较低。这一特点使得FQP14N80在开关状态下能量损耗较小,提高了整体电路的效率。

    - 高电流承载能力:该器件的连续漏极电流(ID)为14A,能够承载较大的电流。这使得FQP14N80在需要高电流输出的应用中,如电机驱动和电源管理中,表现出色。

    - 快速开关速度:FQP14N80的总栅电荷(Qg)较低,约为117nC,使其具备快速的开关速度。这对于高频应用和开关电源来说,能够减少开关损耗,提升效率。

    - 热性能优越:该器件的结温范围为-55°C至+150°C,具有良好的热稳定性。这意味着FQP14N80能够在较宽的温度范围内稳定工作,适应各种严苛的工作环境。

    综上所述,FQP14N80作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度和优异的热性能,在电源管理、电机驱动、照明系统、逆变器和保护电路等众多领域中有着广泛的应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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