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场效应MOS管FQP13N65C参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.28ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP13N65C是一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在电子电路中具有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQP13N65C能够提供高效的开关控制,有效地转换电能,降低能量损耗。

    2. 电机驱动:作为功率开关管,FQP13N65C控制电机的启动、停止和速度调节,保证系统的稳定性和效率。

    3. 电源逆变器:FQP13N65C能够将直流电能转换为交流电能,广泛应用于UPS和太阳能逆变器等领域。

    4. 电源管理:提供良好的功率调节和保护功能,确保电路稳定运行并保护相关设备。

    5. 照明应用:FQP13N65C控制电流和电压,提供稳定的电源输出,支持LED驱动和高功率照明应用。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FQP13N65C能够降低功率损耗和热量产生,提高效率。

    2. 高耐压能力:保证在高压环境下稳定工作,提升系统的可靠性和安全性。

    3. 快速开关特性:响应控制信号迅速,实现高效的功率调节和开关操作。

    4. 良好的温度特性:在不同工作温度下保持稳定性能,适应各种环境条件。

    5. 多样化封装:提供TO-220、TO-247等多种封装形式,满足不同应用场景的安装和散热需求。

    总结来说,FQP13N65C作为一款优秀的功率MOSFET,通过其低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,在多种功率电子设备和电路中展现出卓越性能,为现代电子技术的发展提供了重要的支持和应用价值。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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