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场效应MOS管FQP13N60C参数

PD最大耗散功率:116WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.26ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP13N60C是一款N沟道场效应晶体管,具有广泛的应用场景和特定的参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQP13N60C常用于开关电源和逆变器中,帮助提高能源转换效率和稳定性。

    2. 电动汽车充电器:在电动车充电系统中,FQP13N60C可用作功率开关,支持快速充电和高电流传输,同时保持设备的稳定性和安全性。

    3. 工业自动化设备:在工业控制器和驱动器中,FQP13N60C用于控制电机和执行器,实现精确的运动控制和能效优化。

    4. 电源适配器:FQP13N60C帮助电源适配器实现高效节能的特性,适用于各种家庭和商业应用场景。

    5. 照明系统:在LED照明驱动电路中,FQP13N60C可以控制LED的亮度和电流,提供稳定的照明效果和长寿命的使用。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:有效减少功率损耗和热量,提高能效和可靠性。

    2. 高耐压能力:具有较高的漏极-源极耐压,适合在高电压环境下稳定工作。

    3. 快速开关速度:响应速度快,减少能量损失,提高系统的动态响应能力。

    4. 良好的热特性:设计考虑散热需求,适合长时间高负载工作。

    5. 可靠的电气特性:稳定的电流传输和低静态电流漏泄,确保设备长期稳定运行。

    综上所述,FQP13N60C作为一款性能优越的N沟道场效应晶体管,不仅适用于多种高效能电子应用,而且具备了在复杂工作环境中稳定运行所需的关键参数特性。

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    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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