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场效应MOS管FQP13N50C参数

PD最大耗散功率:195WID最大漏源电流:13AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP13N50C是一款功率场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和功率放大电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:FQP13N50C常用作电源开关管,用于控制电路中的开关状态。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于高效率的开关电源设计中,能有效降低功率损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FQP13N50C可作为电机驱动器件。其快速开关特性和低开启电阻确保在电机启停和速度调节过程中的高效能和稳定性。

    3. LED照明:LED驱动电路需要稳定的电流和电压控制,FQP13N50C的优异导通特性和电压容忍能力使其成为LED驱动器件的理想选择。

    4. 电源逆变器:在逆变器电路中,FQP13N50C用于控制直流到交流电的转换。其高频特性和可靠性确保逆变器在各种负载条件下稳定工作。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)和照明控制模块中,FQP13N50C被广泛应用于功率开关和驱动电路,以提高系统效率和可靠性。

    二、参数特点:

    1. 导通电阻低:FQP13N50C具有低导通电阻,能够在开关状态下显著降低功率损耗,提高效率。

    2. 耐压能力强:该器件具备较高的耐压能力,适合于各种高压电路设计,能够稳定工作在较高的电压条件下。

    3. 快速开关速度:FQP13N50C具有快速的开关速度,响应时间短,适合于需要高频开关操作的电路应用。

    4. 热稳定性好:设计优化的热管理结构确保了FQP13N50C在高负载下的稳定性和长期可靠性。

    5. 环保材料:采用环保材料和工艺制造,符合现代环保要求,适合绿色电子产品的设计和生产。

    综上所述,FQP13N50C作为一款性能优异的功率MOSFET,不仅在电源管理领域表现突出,还在各种功率控制和电路驱动应用中展现了广泛的应用前景和优越的技术特性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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