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场效应MOS管FQP12N65C参数

PD最大耗散功率:225WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP12N65C是一款功率场效应晶体管,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQP12N65C在通信设备中用于功率放大和开关控制,确保信号的稳定传输。

    2. 电源管理:FQP12N65C被广泛应用于开关模式电源(SMPS)和逆变器中,以提高能效和稳定性。

    3. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,FQP12N65C用于驱动电机和控制电磁场。

    4. 医疗设备:FQP12N65C在医疗设备中的电源管理和电动机控制中发挥关键作用,确保设备的可靠性和安全性。

    5. 汽车电子:用于汽车电子系统的电源管理和电机控制,FQP12N65C能够处理高压和大电流的要求。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:FQP12N65C具有极低的导通电阻,减少功率损耗,提升效率。

    2. 高耐压能力:FQP12N65C能稳定工作在较高的电压环境下,确保系统的可靠性和安全性。

    3. 快速开关特性:FQP12N65C具有快速的开关特性,适合频繁开关的电路,提高响应速度和稳定性。

    4. 高温稳定性:FQP12N65C设计用于长时间高温环境下稳定运行,适合工业和汽车应用。

    5. 可靠性设计:FQP12N65C经过可靠性设计,确保长期稳定的性能,适用于严苛的工业和医疗设备要求。

    综上所述,FQP12N65C作为一款高性能功率晶体管,广泛应用于通信、电源管理、工业控制、医疗设备和汽车电子等领域。其优异的电气特性和可靠性,使其成为处理高压高电流要求的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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