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场效应MOS管FQP10N60C参数

PD最大耗散功率:156WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQP10N60C是一款常见的功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:FQP10N60C在通信设备中用于功率放大和电源开关控制。

    2. 汽车电子:作为汽车电子系统中的关键部件,FQP10N60C用于电动车充电桩和车载充电器。

    3. 工业控制:在工业自动化控制系统中,FQP10N60C常用于电机驱动和工业电源控制。

    4. 太阳能逆变器:FQP10N60C在太阳能发电系统中起到关键作用,转换直流电为交流电。

    5. 消费电子:如电源适配器和家用电器的电源开关电路中,FQP10N60C也有广泛应用。

    二、参数特点:

    1. 高耐压能力:FQP10N60C的耐压能力达到600V,适合高压环境下的稳定工作。

    2. 低导通电阻:在额定的10A电流下,FQP10N60C具有较低的导通电阻,有助于减少功耗和提高效率。

    3. 快速开关特性:FQP10N60C具有快速的开关速度和响应时间,适合高频率开关应用。

    4. 热稳定性:FQP10N60C设计考虑了良好的散热性能,能够在各种工作条件下保持稳定性能。

    5. 高可靠性:经过严格的质量控制和测试,FQP10N60C保证了长期稳定和可靠的性能。

    综上所述,FQP10N60C作为一款功能强大的功率MOSFET,在多种电力电子设备中发挥着重要作用,其优异的性能和可靠性使其成为电子设备设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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