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场效应MOS管FQD7N30参数

PD最大耗散功率:2.5WID最大漏源电流:5.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQD7N30是一款N沟道功率MOSFET,具有多种应用场景,特别适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQD7N30在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池管理系统中表现优异,能够高效地管理电源的转换和分配,提高设备的能源利用率。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQD7N30因其高开关速度和低导通电阻,可以提供更高的效率和更稳定的性能,从而延长工具的使用寿命并提高工作效率。

    3. 汽车电子:FQD7N30在汽车电子系统中用于控制和调节电流,如电子控制单元(ECU)、电动窗、座椅调节和照明系统。其高可靠性和耐高温性能使其适合在汽车的苛刻环境中使用。

    4. 家用电器:在家用电器如洗衣机、冰箱、空调等中,FQD7N30能够高效地控制电机运转和电源转换,提升设备的节能效果和运行稳定性。

    5. 工业自动化:在工业自动化领域,FQD7N30用于驱动和控制电机、继电器和其他执行机构,帮助实现自动化设备的精确控制和高效运作。

    二、参数特点:

    - 额定电压和电流:FQD7N30的漏源极电压(Vds)为300V,能够承受较高的电压应力。其连续漏极电流(Id)为7A,在中高功率应用中表现出色。

    - 低导通电阻:FQD7N30具有极低的导通电阻(Rds(on)),典型值仅为0.75Ω,这意味着在导通状态下,它的能量损耗较低,从而提高了系统的整体效率。

    - 高开关速度:FQD7N30的栅极电荷(Qg)较低,使其具备高开关速度和低开关损耗,适用于高频开关电路,如电源变换器和逆变器。

    - 热性能优越:FQD7N30的热阻(RθJC)较低,具备优异的热性能,可以在高温环境下稳定工作,并且具有较好的散热能力,能够有效防止器件过热损坏。

    - 高可靠性:FQD7N30通过严格的质量和可靠性测试,具有较长的使用寿命和高可靠性,能够在各种严苛的应用环境中稳定工作。

    综上所述,FQD7N30因其卓越的性能参数和广泛的应用场景,成为众多电子设备和系统的理想选择。其高效能、低损耗和高可靠性特点,使得FQD7N30在电源管理、汽车电子、家用电器、工业自动化等领域中发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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