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场效应MOS管FQB10N20C参数

PD最大耗散功率:72WID最大漏源电流:9.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQB10N20C是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关的电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQB10N20C在电源管理系统中可以用于直流-直流转换器和不间断电源(UPS)系统中,以实现高效的电能转换和调节。这款MOSFET具有低导通电阻(RDS(on)),能够显著降低电能损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,FQB10N20C被广泛应用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动器中。它能够提供高频率的开关操作,确保电机运行的平稳和高效。

    3. 音频放大器:在音频放大器电路中,FQB10N20C可用于功率放大部分,提供大电流的高效输出。其优良的开关特性和低噪声性能,有助于提高音频信号的质量。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQB10N20C用于太阳能逆变器,有助于将直流电转换为交流电,以供家庭或工业设备使用。这款MOSFET的高效能和高可靠性,使其成为逆变器的理想选择。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,FQB10N20C用于电子控制单元(ECU)和其他功率控制模块,确保汽车电子系统的高效运行。它的高耐压特性和高开关速度,能够满足现代汽车对电子元件的严格要求。

    二、参数特点:

    - 最大漏极-源极电压(VDS):200V。这意味着FQB10N20C能够在最高200V的电压下稳定工作,适用于高电压应用。

    - 最大连续漏极电流(ID):10A。在这种电流下,FQB10N20C能够持续提供可靠的电流输出,适合大功率应用场景。

    - 导通电阻(RDS(on):0.55Ω(在VGS=10V时)。低导通电阻是FQB10N20C的一大特点,能够显著减少导通时的能量损耗,提高系统的整体效率。

    - 栅极-源极电压(VGS):最大值为±20V。这一参数表明FQB10N20C能够承受较大的栅极电压变化,有助于增强其在不同工作条件下的稳定性。

    - 栅极电荷(Qg):37nC。低栅极电荷使FQB10N20C在开关时所需的能量较少,有助于提高开关速度和效率,适合高频开关应用。

    综上所述,FQB10N20C凭借其高电压、高电流、低导通电阻和高开关速度的优良参数特点,成为多种高效电子系统中的理想选择。这款MOSFET不仅在电源管理、电机驱动、音频放大器、太阳能逆变器和汽车电子等领域有广泛应用,其卓越的性能也为这些系统的高效和稳定运行提供了有力保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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