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插件三极管FQA38N30参数

PD最大耗散功率:290WID最大漏源电流:38.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.085ΩVRDS(ON)ld通态电流:19.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:24SGfs(min)VDS漏源电压:50VGfs(min)lo通态电流:19.2A

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    FQA38N30是一种高效能的N沟道MOSFET,常用于多个应用场景中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQA38N30作为开关元件,用于DC-DC转换器和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流承载能力,FQA38N30能够有效地减少能量损耗,提高系统的效率。

    2. 电机控制:FQA38N30可用于驱动电机,尤其是在需要高功率和高速响应的应用中,如电动工具和电动汽车。

    3. 太阳能逆变器和不间断电源系统:该元件还可应用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,利用其高耐压特性来处理大功率转换需求。

    二、参数特点:

    - 高电压耐受能力:FQA38N30的最大漏源电压为300V,能够应对较高的电压要求。

    - 高电流承载能力:其最大漏极电流能力为38A,适合大电流应用。

    - 低导通电阻:FQA38N30的典型导通电阻为0.045Ω,减少了工作过程中的功耗。

    - 低栅极电荷:其低栅极电荷(Qg)有助于减少驱动损耗,尤其适用于高频开关应用。

    - 高雪崩能量耐受能力:增强了其在恶劣环境下的可靠性,使其在应用中更为稳定。

    综上所述,FQA38N30凭借其高效能和可靠的电气性能,成为众多高要求应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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