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场效应MOS管FQA30N40参数

PD最大耗散功率:290WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.14ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQA30N40是一种N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),具有高压、大电流处理能力,广泛应用于电力电子和工业控制领域。以下将详细介绍FQA30N40的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQA30N40常用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器等电源管理系统中。由于其高耐压和大电流能力,可以有效提高系统的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机驱动控制电路中,FQA30N40因其快速开关速度和低导通电阻特性,被广泛应用于各类电机的PWM(脉宽调制)控制系统,尤其适用于工业电机、家电电机等大功率电机驱动。

    3. 照明系统:FQA30N40在LED驱动电路中表现出色,能够提供稳定的电流驱动,提升LED灯的光效和使用寿命。此外,其高效能降低了热耗散需求,适用于各类高功率LED照明应用。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQA30N40常作为关键功率元件,保证电能转换的高效率和可靠性,特别是在应急电源切换时,能够提供稳定的电流输出,确保负载的连续供电。

    5. 电动工具:FQA30N40也被应用于各类电动工具的控制电路中,如电钻、电锯等。这类工具需要可靠的大电流供应和快速响应能力,FQA30N40的高性能参数能够满足这些要求,确保工具的高效运转。

    二、参数特点:

    - 耐压值:FQA30N40的漏源极耐压(Vds)高达400V,这使得它非常适合于需要处理高电压的应用场合,如电力变换器和工业驱动设备。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.065欧姆,这意味着在导通状态下,FQA30N40能提供极低的功率损耗,提升整体电路的效率。

    - 大电流能力:FQA30N40的连续漏极电流(Id)最高可达30A,这使其适用于需要大电流的应用场合,如大功率电源和电机驱动系统。

    - 开关速度:FQA30N40具有较快的开关速度,开关时间通常在几十纳秒级别。这一特性对于高频率应用非常关键,能够有效减少开关损耗,提高系统的频率响应。

    - 封装类型:FQA30N40采用TO-3P封装,这种封装形式具有优良的散热性能和机械稳定性,适合应用在需要高可靠性和耐用性的场合。

    综上所述,FQA30N40作为一款高性能的N沟道MOSFET,凭借其优异的电气性能和可靠的封装设计,被广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统、不间断电源以及电动工具等众多领域。其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关速度等特点,确保了其在各类高性能电子设备中的关键作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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