PD最大耗散功率:479WID最大漏源电流:28AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:26SGfs(min)VDS漏源电压:40VGfs(min)lo通态电流:14A
立即咨询一、应用场景:
1. 通信设备:FQA28N50在通信设备中用于电源转换和功率控制。例如,在无线基站、路由器以及其他网络设备中,可以作为开关管,保证电能转换效率和稳定性。
2. 汽车电子:在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电动驱动系统中,FQA28N50作为电动机驱动器的一部分,控制电机的功率输出,实现车辆的高效动力传输。
3. 工业控制:FQA28N50可用于工业控制和自动化系统中的电源管理和功率控制。例如,用于电压调节器、电流控制器和电机驱动器,实现精准的控制和稳定的性能。
4. 电源转换器:FQA28N50在各种电源转换器中广泛应用,如开关电源、逆变器和DC-DC变换器,以实现高效的电能转换。
5. LED照明:FQA28N50可用于LED照明系统中的电源管理和控制,确保LED灯具的稳定工作和高效能耗。
二、参数特点:
一、低导通电阻:FQA28N50具有低导通电阻,能够在导通状态下实现低功耗传输电能。
二、高耐压能力:这款MOSFET晶体管具有高耐压能力,能够承受较高的电压而不损坏。
三、低开启电阻:FQA28N50具有低开启电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
四、快速开关速度:FQA28N50具有快速的开关速度,能够快速响应控制信号,实现高效的功率控制。
五、良好的热特性:FQA28N50在高温环境下能够保持稳定的性能,确保长时间稳定运行。
综上所述,FQA28N50作为一款高性能的MOSFET晶体管,适用于各种电源管理和功率控制应用。其优异的参数特点使得它成为这些应用中的理想选择,能够确保系统稳定运行并提高能源利用效率。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号