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场效应MOS管FDP8N50NZ参数

PD最大耗散功率:130WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDP8N50NZ是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高压开关电源、逆变器、功率调节器等电子设备中。本文将详细介绍FDP8N50NZ的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 高压开关电源:FDP8N50NZ常用于高压开关电源中,因其具备高耐压能力和快速开关速度,能够有效提高电源的转换效率,降低能量损耗。同时,其低导通电阻特点,使其在高电流工作条件下仍能保持低热耗,确保电源系统的稳定性和可靠性。

    2. 逆变器:在逆变器应用中,FDP8N50NZ扮演着关键角色。其高击穿电压和大电流处理能力,使其适合用于将直流电转换为交流电的场合。这对于光伏发电系统、风力发电系统等可再生能源设备尤为重要。其快速的开关特性确保了逆变器的高效运行。

    3. 功率调节器:FDP8N50NZ还广泛应用于功率调节器中,用于调节和控制电力传输的稳定性。其高效能和高可靠性确保了在不同负载条件下,功率调节器能够提供稳定的输出,避免电力波动对设备的损害。

    4. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯等中,FDP8N50NZ的应用也十分常见。由于这些工具需要在高电压和大电流条件下工作,FDP8N50NZ的高耐压和低导通电阻特点,使其能够有效提高工具的工作效率和使用寿命。

    5. 工业自动化:工业自动化设备中,FDP8N50NZ被广泛应用于各种控制电路和驱动电路中。其可靠的性能和高效能,确保了自动化设备能够在各种复杂的工业环境中稳定运行,提高生产效率和质量。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FDP8N50NZ的击穿电压高达500V,这使其能够在高压环境中稳定工作,不易被击穿,确保了设备的安全性和稳定性。

    - 低导通电阻:FDP8N50NZ的导通电阻仅为0.75Ω(最大值),这意味着在电流通过时,电压降较低,从而减少了能量损耗,提高了整体的转换效率。

    - 高脉冲电流处理能力:FDP8N50NZ能够处理高达32A的脉冲电流,这使其在需要处理瞬时大电流的应用中表现出色,保证了设备在高负载条件下的稳定运行。

    - 快速开关特性:FDP8N50NZ的快速开关时间(上升时间和下降时间均为10ns左右)确保了其能够快速响应控制信号,适合高频开关应用,减少了开关损耗,提升了效率。

    - 热稳定性:FDP8N50NZ具备优异的热稳定性,其最大结温可达150℃。这意味着在高温环境中,FDP8N50NZ依然能够保持稳定的性能,不易受到热击穿或降效的影响。

    综上所述,FDP8N50NZ作为一款高性能的场效应晶体管,凭借其高击穿电压、低导通电阻、高脉冲电流处理能力、快速开关特性和优异的热稳定性,被广泛应用于高压开关电源、逆变器、功率调节器、电动工具及工业自动化设备中。其卓越的性能特点,使其在各种应用场景中发挥了重要作用,为电子设备的高效稳定运行提供了坚实的保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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