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三极管FDN335N参数

PD最大耗散功率:0.5WID最大漏源电流:1.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:0.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.7AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:0.4~1.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDN335N是一款N沟道场效应管(MOSFET)型号,常见于低压低功耗应用。它在现代电子设备中具有广泛的应用场景和参数特点,下面将分别详细介绍。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDN335N常被用于电源管理系统中,特别是在低电压和低功耗需求下。其低导通电阻和高开关速度使其成为电源开关和电池管理器的理想选择。

    2. 电机驱动:在小型电机控制电路中,FDN335N可以作为电机的开关器件,实现高效的电机驱动,同时具有低功耗和快速响应的特点。

    3. LED照明:LED照明系统需要高效的电源管理和稳定的电流控制,FDN335N可用作LED驱动器中的开关元件,帮助实现LED照明系统的节能和稳定性。

    4. 电池保护:在便携式电子设备中,如智能手机、平板电脑等,FDN335N常用于电池保护电路中,通过控制充放电过程,保护电池免受过电流和过放电的损害。

    5. 电子开关:在各种电子开关应用中,如USB电源管理、电池充放电控制等,FDN335N的高可靠性和低功耗特点使其成为理想的选择。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: FDN335N具有非常低的导通电阻,通常在几欧姆以下,这使得在导通状态下功耗极低,同时也减小了开关时的能量损耗。

    2. 低门电压:该型号的门极电压较低,通常在几伏以下,这使得其在逻辑电平控制下可以实现快速可靠的开关操作。

    3. 高开关速度:FDN335N具有较快的开关速度,可以迅速响应控制信号,实现高效的电源管理和电路控制。

    4. 温度稳定性:在不同温度下,FDN335N的性能表现稳定,能够在较宽的温度范围内工作,适用于各种环境条件下的应用。

    5. 小型封装:该型号通常采用SOT-23封装,体积小巧,便于在各种电路板上进行布局和安装,特别适用于紧凑型电子设备的设计。

    综上所述,FDN335N作为一款性能稳定、功耗低、可靠性高的MOSFET型号,广泛应用于电源管理、电机驱动、LED照明、电池保护和电子开关等领域,为现代电子设备的性能提升和能耗降低做出了重要贡献。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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