PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:116AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0051ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:FDD8874常用于DC-DC转换器和AC-DC电源中,能够高效地转换电能,提高整体系统的能效。其低导通电阻和高开关速度使其成为电源管理系统中的理想选择。
2. 电机控制:在电机驱动和控制系统中,FDD8874的快速开关特性和高功率处理能力使其能够高效驱动各种类型的电机,尤其是在需要精确控制和高效能的场合。
3. 照明设备:FDD8874适用于LED驱动电路和其他类型的照明系统,其高效能和低功耗特性有助于延长照明设备的使用寿命,并降低能耗。
4. 消费电子:在智能手机、平板电脑和笔记本电脑等消费电子产品中,FDD8874被广泛应用于电池管理和电源调节模块中,确保设备的安全稳定运行。
5. 汽车电子:FDD8874在汽车电子系统中也有广泛应用,例如用于电动汽车的电池管理系统、汽车照明系统和其他电子控制单元,提供高可靠性和高效能。
二、参数特点:
- 低导通电阻:FDD8874的导通电阻(RDS(on))非常低,通常在几毫欧级别。这意味着在工作过程中产生的导通损耗极低,提高了整个系统的效率。
- 高开关速度:FDD8874具有极快的开关速度,能够在高频工作条件下快速切换,从而减少开关损耗并提高能效。其快速开关特性使其非常适合高频率的应用场景。
- 高功率处理能力:FDD8874能够处理较高的电流和电压,通常其最大漏极电流可达几十安培,最大漏源电压可达几百伏。这使得它在高功率应用中表现出色。
- 热性能优异:FDD8874具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定工作。其热阻低,散热效果好,有助于延长器件的使用寿命。
- 封装形式多样:FDD8874提供多种封装形式,适用于不同的应用需求。例如,TO-220封装适合高功率应用,而SMD封装则适用于空间受限的应用场合。
综上所述,FDD8874凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为功率MOSFET市场中的一款重要器件。在未来的电子设计中,FDD8874将继续发挥其独特的优势,推动各类电子产品的发展和进步。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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