收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FDD8796参数

场效应MOS管FDD8796参数

PD最大耗散功率:88WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.0057ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.2~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FDD8796是一种常用于电源管理和开关应用的N沟道增强型MOSFET(场效应管)。它以其低导通电阻和高电流处理能力而著称,适用于多种应用场景和具有多种参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FDD8796常用于各种电源管理系统中,例如DC-DC转换器和AC-DC电源供应器。它在这些系统中起到开关和电流控制的作用,确保电路的高效运行和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FDD8796可用于控制电机的启动和停止,以及调节电机的转速。这种MOSFET能够处理高电流,适合需要高功率的电机控制系统。

    3. 电池管理系统:FDD8796在电池管理系统(BMS)中广泛应用,特别是在电动汽车和储能系统中。它帮助管理电池的充放电过程,提高系统的整体效率和安全性。

    4. 逆变器:在逆变器电路中,FDD8796作为开关器件,转换直流电为交流电,广泛应用于太阳能发电和不间断电源(UPS)系统中。其高效率和高可靠性确保了系统的稳定运行。

    5. 照明系统:在LED照明和其他照明系统中,FDD8796用于驱动和调节光源,提供高效、稳定的电源解决方案,延长照明设备的寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD8796的导通电阻极低,典型值仅为0.0024欧姆。这一特点使其在导通时的功耗大大降低,提高了系统的整体效率。

    - 高电流处理能力:FDD8796能够处理高达80安培的连续漏极电流,适用于需要高电流的应用场合,如电源管理和电机驱动。

    - 高雪崩能量:FDD8796具有高雪崩能量耐受能力,使其能够在严苛的环境条件下工作,提供高可靠性和长寿命的性能。

    - 耐高压:该型号的漏源击穿电压(VDS)为30V,能够在较高电压环境中稳定工作,适合各种电源转换和控制应用。

    - 快速开关速度:FDD8796具有快速的开关速度,开通时间和关断时间分别为10ns和50ns左右。这一特点使其在高频应用中表现出色,如高效DC-DC转换器和快速开关电源。

    FDD8796凭借其卓越的参数特点和广泛的应用场景,成为电源管理、驱动控制和电池管理等领域的理想选择。其高效、可靠和多功能的特性,使其在现代电子设备和系统中扮演着关键角色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号