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场效应MOS管FDD3860参数

PD最大耗散功率:69WID最大漏源电流:29AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.036ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDD3860是一款N沟道MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDD3860在电源管理系统中广泛使用,特别是在DC-DC转换器中。由于其高效的开关特性和低导通电阻,它可以有效地降低能量损耗,提高整体系统的效率。

    2. 电机驱动:FDD3860常用于电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)驱动器。在这些应用中,它能提供快速的开关速度和高电流处理能力,确保电机运行的平稳和高效。

    3. 逆变器:在逆变器应用中,FDD3860被用来转换直流电为交流电。它的高频开关能力和低功耗特性,使其成为构建高效逆变器电路的重要组成部分。

    4. 消费电子产品:FDD3860被广泛应用于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。这些设备需要高效、可靠的电源管理系统,而FDD3860的特性正好符合这些要求。

    5. 太阳能系统:在太阳能发电系统中,FDD3860用于光伏逆变器和最大功率点追踪(MPPT)控制器。这些系统需要高效能量转换和管理,而FDD3860的低损耗和高效率特性使其成为理想选择。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FDD3860的导通电阻极低,在10V栅极驱动电压下仅为10.5毫欧。这意味着在导通状态下,该器件能有效减少功率损耗,提高整体效率。

    - 高击穿电压:FDD3860的漏源击穿电压(BVDSS)为30V,使其能够在较高电压环境下安全工作。这种高电压能力使其适用于各种高功率应用。

    - 高电流处理能力:FDD3860的连续漏极电流(ID)为11A,脉冲漏极电流(IDM)高达40A。这样的高电流处理能力使其在需要处理大电流的应用中表现出色。

    - 快速开关速度:FDD3860具有极快的开关速度,能够在高频率下高效工作。这种特性使其非常适合用于高频DC-DC转换器和高效逆变器中。

    - 低栅极电荷(Qg):FDD3860的总栅极电荷为18nC,低栅极电荷使得驱动电路能以较低的能量实现快速开关,从而减少了开关损耗,提高了系统效率。

    综上所述,FDD3860凭借其低导通电阻、高击穿电压、高电流处理能力、快速开关速度和低栅极电荷等优异特性,广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、消费电子产品和太阳能系统等多个领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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