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场效应MOS管FDB28N30参数

PD最大耗散功率:250WID最大漏源电流:28AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.129ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FDB28N30是一款常用的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),具有高效、低损耗的特点,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍FDB28N30的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FDB28N30常用于电源管理系统,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻和高电流处理能力使其在转换效率和热管理方面表现优异。这使得它成为高效电源管理系统中不可或缺的元件。

    2. 电动汽车充电桩:随着电动汽车的普及,充电桩需求日益增长。FDB28N30凭借其高耐压和大电流处理能力,在电动汽车充电桩的高效能转换和安全保障中发挥了重要作用。

    3. 工业自动化设备:工业自动化设备如伺服驱动器、PLC(可编程逻辑控制器)等,也大量采用FDB28N30。其高开关速度和高效率特点,能够满足工业设备对快速响应和低能耗的要求。

    4. 消费电子产品:在电视、音响等消费电子产品中,FDB28N30被广泛应用于电源部分,提供稳定的电流供应和高效能量转换,从而提升产品的性能和用户体验。

    5. 通信设备:通信基站和路由器等设备需要高效的电源管理系统来确保可靠运行。FDB28N30在这些设备中负责电力转换和分配,保证设备在高负载情况下稳定工作。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FDB28N30的导通电阻(Rds(on))非常低,仅为30毫欧(mΩ)。这意味着在相同电流下,它能减少功耗,提高效率,特别适合高效能应用场景。

    - 高电流处理能力:FDB28N30能够处理高达28安培(A)的连续电流,这使得它非常适合需要大电流传输的应用,如电源管理和电动汽车充电系统。

    - 高耐压:其耐压值高达300伏(V),可以在高压环境下稳定工作。这使得FDB28N30在需要高压操作的应用中如鱼得水,例如工业设备和通信基站。

    - 高开关速度:FDB28N30具备高开关速度,这在需要快速响应的电路中尤为重要。高开关速度不仅提高了系统的响应能力,还能降低开关损耗,提升整体效率。

    - 封装形式:FDB28N30采用TO-220封装,这种封装形式不仅散热性能好,且易于安装和维护,广泛适用于各种应用场景,特别是在需要高功率处理的设备中。

    综上所述,FDB28N30作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,以其低导通电阻、高电流处理能力、高耐压和高开关速度等特点,在电源管理系统、电动汽车充电桩、工业自动化设备、消费电子产品和通信设备等领域得到广泛应用。其优异的性能和可靠性,使得FDB28N30成为电子工程师们在设计高效能电路时的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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