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场效应MOS管FCP11N60N参数

PD最大耗散功率:94WID最大漏源电流:10.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.299ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FCP11N60N是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),在电子电路中广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FCP11N60N常用于开关电源的高频变换器中。由于其低导通电阻和高击穿电压,它可以有效地提升开关电源的效率和稳定性。

    2. 电动机驱动:在电动机控制电路中,FCP11N60N可用于功率开关部分,提供高速开关和高效能的电流传输。其优良的热性能也使其在大功率电动机驱动中表现出色。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FCP11N60N用于逆变器部分,保证电能的稳定供应和转换效率。其高可靠性和耐高压特性确保了UPS系统在关键时刻的正常运行。

    4. 照明控制:LED照明控制电路中,FCP11N60N用作开关元件,提供高效的电流控制,减少能耗,并延长LED灯具的使用寿命。

    5. 逆变器:在太阳能和风能发电系统的逆变器中,FCP11N60N用于DC-AC转换部分,提升系统的能量转换效率和稳定性。

    二、参数特点:

    1. 高击穿电压:FCP11N60N的击穿电压高达600V,适用于高电压应用场景,能够有效防止电压击穿问题,提高电路的安全性和可靠性。

    2. 低导通电阻:其导通电阻仅为0.35Ω,这使得FCP11N60N在导通状态下的功耗较低,提升了电路的整体效率,尤其适合高效能要求的应用。

    3. 高开关速度:FCP11N60N具备快速开关特性,能够在高频率下稳定工作,适用于高频开关电源和快速响应的电动机驱动电路中。

    4. 优良的热性能:该型号的MOSFET拥有出色的热性能,其热阻低,能够有效地散热,确保器件在高温环境下稳定运行,延长使用寿命。

    5. 大电流承载能力:FCP11N60N能够承载高达11A的电流,适用于大电流需求的应用,如电动机驱动和高功率逆变器。

    通过以上介绍,可以看出FCP11N60N是一款性能优越、应用广泛的MOSFET,在各种高效能、高可靠性需求的电子电路中发挥着重要作用。其高击穿电压、低导通电阻、高开关速度、优良的热性能和大电流承载能力,使其成为许多工程师的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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