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光耦合成器EL357N参数

正向电流IF(mA)
50 mA
峰值电流IFM(A)
1 A
反向电压VR(V)
6 V
功耗P(mW)
70 mW
集电极发射电压VECO(V) 
80 V
发射机电极电压VECO(V)
7 V
集电极电流IC(mA)
50 mA
集电极功耗PC(mW)
200 mW
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    EL357N是一种光电耦合器,用于电路中的信号隔离和传输。其应用场景及参数特点如下:

    一、应用场景

    1.信号隔离:功率转换和电机驱动在高压应用中,EL357N隔离控制和电源电路,以防止高压干扰损坏低压控制电路。

    2.开关电源:EL357N广泛应用于开关电源的反馈电路,通过隔离将反馈信号送到控制端,提高供电的稳定性和安全性。

    3.PLC(可编程逻辑控制器)输入模块:在工业自动化中,EL357N可以分离外部设备信号并将其发送到PLC,确保信号完整性并避免电气干扰。

    4.通讯设备:在通讯设备中,采用EL357N进行电气隔离的信号传输,保证通讯链路的稳定性和抗干扰性。

    5.保护电路:当控制电路或传感器需要连接到不同的系统时,EL357N通过电气隔离直流电流线来提供保护。

    二、参数特点

    - 高隔离电压:EL357N通常具有高隔离电压(通常为3750Vrms或更高),可以在较高电压下有效隔离电路的两部分,提高信号传输的安全性。

    - 快速响应:适用于响应速度较快,需要快速传输信号的情况。典型的传输速度可以达到几十到几百千赫兹。

    - 低功耗:EL357N的低输入电流延长了其使用寿命,使其非常适合低功耗设计,特别是功率敏感设备。

    - 稳定性强:光耦信号传输稳定性高,不易受外界电磁干扰和噪声影响,适合在工业环境和复杂电磁环境中使用。

    - 紧凑、多功能封装:EL357N通常采用DIP或SMD封装,使其易于集成到各种电路板中,适合小型设备设计要求。

    这些特性使EL357N广泛应用于电子设备中,特别适用于需要电气绝缘的场合,既保证了安全性,又提高了信号传输的效率和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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