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场效应MOS管CEU73A3G参数

PD最大耗散功率:57WID最大漏源电流:57AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    CEU73A3G是一种场效应晶体管(MOSFET),在各种应用场景中都有广泛的使用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:CEU73A3G常用于电源管理电路中,尤其是直流到直流转换器(DC-DC转换器)。在这些应用中,它的低导通电阻和快速开关速度能够有效提高电源转换效率,减少功耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,CEU73A3G可以用于控制直流电机和无刷电机。由于其高效的开关性能和较高的电流处理能力,可以提供稳定的电流控制和电机保护。

    3. 负载开关:CEU73A3G适用于各种负载开关应用,包括家用电器和工业设备中的电子开关。其低导通电阻有助于降低功耗,同时保持较高的开关速度,从而实现高效的负载控制。

    4. 信号放大:在模拟信号处理和放大电路中,CEU73A3G可用作放大器元件。其良好的线性度和低噪声特性使其在精密信号放大应用中表现出色,广泛用于音频设备和传感器信号处理。

    5. 保护电路:CEU73A3G也常用于各种保护电路中,如过流保护和过压保护电路。其快速响应能力可以有效地保护电路免受过载或瞬态电压的损害。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):CEU73A3G的导通电阻非常低,这意味着在工作过程中它能减少导通损耗,提高整体效率。这一特性在高效电源管理和电机驱动中尤为重要。

    - 电流处理能力:CEU73A3G具有较高的最大漏极电流(ID)能力,能够处理大电流应用。这使其在需要高电流负载开关和电机控制的场合中表现出色。

    - 开关速度:该MOSFET具有快速的开关速度,适合高频率应用。快速开关速度有助于减少开关损耗,提升整体系统效率,尤其在DC-DC转换器中体现明显。

    - 门极电压:CEU73A3G的门极阈值电压(VGS(th))较低,这使其能够在较低的门极驱动电压下有效工作,适应各种低压驱动应用。

    - 热性能:CEU73A3G的热阻较低,这意味着其在高功率应用中能够有效散热,保持稳定的工作温度。这对于长时间高负荷工作的电路来说尤为重要,确保了器件的可靠性和寿命。

    综上所述,CEU73A3G作为一款高性能的MOSFET,在电源管理、电机驱动、负载开关、信号放大和保护电路等应用中具有广泛的应用前景。其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、低门极电压和优异的热性能使其在各种复杂的应用环境中都能表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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