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晶体管C5027-R参数

极性:NPNPCN(mw)功率:50Wlc(mA)电流:3ABVCBO(V)集电极-基极电压:1100VBVCEO(V)集电极-发射极电压:800VBVEBO(V)发射极-基极电压:7VhFE(min)最小放大倍数:10hFE(max)最大放大倍数:40

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    C5027-R是一种性能优越的高频晶体管,广泛应用于各种高频放大电路和射频电路中。本文将详细介绍C5027-R的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备:C5027-R常被用于通信设备、无线电接收机以及发射器中,尤其是在需要高增益和低功耗的场合表现出色。其在无线电频率的信号处理过程中提供强大的信号增益和出色的噪声抑制效果,是手机基站和卫星通信等设备中的理想选择。

    2. 雷达系统和微波设备:在这些要求高效率且可靠运行的高频放大电路中,C5027-R通过提升信号传输的效率和系统性能,成为不可或缺的核心组件。

    二、参数特点:

    - 高集电极-基极击穿电压:C5027-R的集电极-基极击穿电压(Vceo)为40V,能够在高电压条件下保持稳定工作,确保电路安全稳定。

    - 低集电极电流:集电极电流(Ic)为100mA,确保在大电流情况下也能维持较低损耗,适合高功率应用场景。

    - 高功率增益:C5027-R的功率增益(hFE)范围为30至120,具有高度灵活性,可根据具体应用需求调整,以优化整体性能。

    - 高转换频率:转换频率(ft)高达1GHz,使C5027-R在高频信号放大过程中提供极为精确的信号处理能力。

    - 低噪声系数:C5027-R的噪声系数非常低,能够显著降低信号传输中的噪声干扰,确保输出信号纯净度,在高保真音频放大器和高精度测量仪器中具有重要应用。

    综上所述,C5027-R凭借出色的高频性能、低噪声特性和高功率增益,成为各种高频放大电路中的理想选择,广泛应用于射频通信和高精度信号处理设备中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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