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场效应MOS管AOD6N50参数

PD最大耗散功率:104WID最大漏源电流:5.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3.4~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    AOD6N50是一种N沟道功率MOSFET,其应用场景和参数特点使其在各种电源管理和转换电路中非常受欢迎。本文将详细介绍AOD6N50的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:AOD6N50常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。这类应用要求MOSFET具有高效的开关性能和低导通电阻,以提高整体转换效率。

    2. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,充电设备的需求也在增加。AOD6N50在电动汽车充电器中发挥重要作用,其高电压和高电流处理能力使其能够应对充电过程中的高负载需求。

    3. 照明设备:在LED驱动电路和其他照明设备中,AOD6N50因其出色的电气性能而被广泛应用。这些设备通常需要稳定的电流控制和高效的能量转换。

    4. 不间断电源(UPS):UPS系统需要可靠的功率管理元件来确保在电源故障时提供持续的电力。AOD6N50凭借其高可靠性和耐用性,成为这类应用的理想选择。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,AOD6N50用于驱动电机和其他高功率负载。这些系统通常需要高性能和高可靠性的MOSFET来保证设备的正常运行。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:AOD6N50具有高达500V的漏源极耐压(Vdss),使其能够在高压环境下安全运行。这对于需要高电压工作的应用场景尤其重要,如电源转换器和工业控制设备。

    - 导通电阻:AOD6N50的低导通电阻(Rds(on))典型值为0.55Ω,这有助于减少功率损耗,提高电路效率。低导通电阻是功率MOSFET的重要参数,直接影响电能转换的效率和热管理。

    - 开关速度:AOD6N50具有快速的开关速度,能够在高频开关电路中实现高效的工作。快速的开关速度减少了开关损耗,提高了整体系统的性能。

    - 电流处理能力:AOD6N50能够处理高达6A的连续漏极电流(Id),这使其在高电流应用中表现出色,如电动汽车充电器和UPS系统。

    - 栅极电荷:AOD6N50的栅极电荷(Qg)较低,这使得驱动该器件所需的能量较少,进一步提升了整体系统的效率。低栅极电荷对于高频应用尤其重要,因为它直接影响开关速度和功率损耗。

    综上所述,AOD6N50凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关速度、高电流处理能力和低栅极电荷等参数特点,成为电源转换器、电动汽车充电器、照明设备、UPS和工业控制等应用的理想选择。这些特性使得AOD6N50在各种高效能和高可靠性要求的应用场景中得到了广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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