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场效应MOS管UTT50P04L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:93.7WID最大漏源电流:-60AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.013ΩVRDS(ON)ld通态电流:-30AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    UTT50P04L-TN3-R是一种在现代电子电路中广泛应用的MOSFET器件,主要用于各种电源管理和切换应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,UTT50P04L-TN3-R被用作主开关元件。它具有低导通电阻和高开关速度的优点,能够提高电源的转换效率,减少功耗,并且能够在高频率下稳定工作,确保电源的输出稳定性。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,UTT50P04L-TN3-R常用于控制电流的通断,从而调节电机的转速和转向。其高效的开关性能和耐用性使其能够在高电流、高电压的条件下可靠工作,保证电机的平稳运行。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,UTT50P04L-TN3-R作为功率变换器件,用于将直流电转换为交流电。其高开关频率和低损耗特性,使逆变器能够高效地将能量转换,适用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)等应用。

    4. 电池管理系统:在电池管理系统中,UTT50P04L-TN3-R用于电池的充放电控制,保护电池不受过充、过放和短路的损害。其高效能和精准控制能力,延长了电池的使用寿命,提升了整个系统的安全性和可靠性。

    5. 汽车电子:在汽车电子中,UTT50P04L-TN3-R用于各种控制单元,如发动机控制、车身电子、娱乐系统等。其稳定的性能和高耐压特性,确保了汽车电子系统在恶劣环境下的可靠运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UTT50P04L-TN3-R的导通电阻非常低,这意味着在电流通过时损耗较小,提升了电路的整体效率,减少了发热和功耗。

    - 高耐压能力:该型号具有较高的耐压能力,能够承受较高的电压,适用于高压环境下的应用,保证了电路的安全性和可靠性。

    - 高开关速度:UTT50P04L-TN3-R具有极高的开关速度,这对于需要快速响应的应用场景非常重要,如电机驱动和高频开关电源。快速的开关能力可以显著减少开关损耗,提高电路效率。

    - 高电流处理能力:该型号能够处理较大的电流,这使得它在高功率应用中表现出色,如电动汽车的电机驱动和大功率逆变器。

    - 封装形式:UTT50P04L-TN3-R采用标准的封装形式,便于安装和集成,适用于各种电路设计,提供了良好的散热性能和机械强度,提升了整个系统的可靠性。

    总的来说,UTT50P04L-TN3-R凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为现代电子设备中不可或缺的重要器件。它的高效能和可靠性,为各类电源管理和控制系统提供了坚实的基础。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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