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场效应MOS管UTT36N10L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:36AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.043ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    UTT36N10L-TN3-R是一种常用的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电源管理和控制电路中。本文将详细介绍UTT36N10L-TN3-R的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:UTT36N10L-TN3-R经常被用于开关电源中,作为主要的开关元件。它的高效能和低导通电阻使得电源能够以更高的效率工作,减少能量损耗。

    2. 电动汽车:在电动汽车的驱动系统中,UTT36N10L-TN3-R被用于控制电机的驱动电路。其高电流承载能力和快速开关特性,确保了电动机的高效运行和精确控制。

    3. 太阳能逆变器:UTT36N10L-TN3-R也适用于太阳能逆变器中。其低导通电阻和高耐压特性,使其能够有效地转换太阳能电池板产生的直流电为交流电,并且减少了能量转换中的损耗。

    4. UPS不间断电源:在UPS系统中,UTT36N10L-TN3-R被用于电池管理和逆变器模块中。它能够快速响应电力中断,保证电源的稳定输出。

    5. 工业自动化设备:在工业自动化控制系统中,UTT36N10L-TN3-R被用于各种控制电路。其稳定的性能和高可靠性,满足了工业环境下的苛刻要求。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:UTT36N10L-TN3-R具有较高的耐压能力,典型值为100V。这使得它在高电压应用中表现出色,能够处理更高的电压水平而不易损坏。

    - 低导通电阻:UTT36N10L-TN3-R的典型导通电阻为36mΩ,低导通电阻有助于减少导通损耗,提高整体电路的效率,尤其是在大电流应用中更为显著。

    - 高开关速度:该器件具备快速的开关特性,能够在高频率应用中有效地进行开关操作。这一特点对于需要高频切换的电路,例如开关电源和逆变器电路,尤为重要。

    - 大电流承载能力:UTT36N10L-TN3-R的连续漏极电流可达10A,确保其在高电流应用中能够稳定工作,不会轻易因过载而损坏。

    - 可靠性和稳定性:由于采用了先进的制造工艺和优质的材料,UTT36N10L-TN3-R在长时间工作下仍能保持稳定的性能,不易受环境因素影响。

    综上所述,UTT36N10L-TN3-R以其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为电力电子领域中的重要元件。不论是在高效能电源管理,还是在需要精确控制的驱动系统中,它都能展现出色的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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