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场效应MOS管UTT30P04L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:-21AV(BR)DSS漏源击穿电压:-40VRDS(ON)Ω内阻:0.073ΩVRDS(ON)ld通态电流:-8AVRDS(ON)栅极电压:-5VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    UTT30P04L-TN3-R是一款常见的MOSFET(场效应晶体管)器件,广泛应用于各类电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:UTT30P04L-TN3-R常用于电源管理系统,尤其是在开关电源和DC-DC转换器中。由于其低导通电阻和高效能,能够有效减少功耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,UTT30P04L-TN3-R能够高效驱动各类直流电机和步进电机。其高电流承载能力和快速开关特性,使其在工业自动化设备和家电产品中广泛应用。

    3. 电池管理系统(BMS):UTT30P04L-TN3-R在锂电池和其他类型电池的管理系统中扮演重要角色。其稳定的性能和可靠的保护特性,确保了电池在充放电过程中的安全和长寿命。

    4. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器电路中,UTT30P04L-TN3-R用于控制功率流动和实现电能转换。其高效能和低损耗特性,提高了设备的整体性能和可靠性。

    5. 消费电子:例如笔记本电脑、智能手机等设备中,UTT30P04L-TN3-R作为电源管理和电流控制的关键元件,确保设备在各种工作模式下的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):UTT30P04L-TN3-R具有非常低的导通电阻,通常在几毫欧姆范围内。这意味着在电流通过器件时产生的功率损耗很低,从而提高了系统的效率。

    - 高电流承载能力:UTT30P04L-TN3-R能够承受较高的电流,通常高达几十安培。这使其适用于需要高电流传输的应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 快速开关速度:UTT30P04L-TN3-R的开关速度非常快,能够在纳秒级别完成开关操作。这种特性非常适合高频开关电源和快速响应的电机控制系统。

    - 耐高压能力:UTT30P04L-TN3-R能够承受较高的电压,通常在几十伏到上百伏之间。其耐高压特性使其在需要高电压操作的应用中表现出色,例如逆变器和变频器。

    - 热性能优越:UTT30P04L-TN3-R的封装和设计使其具有良好的散热性能,能够在高功率操作条件下维持稳定运行。这对于需要长时间运行的设备尤为重要,确保其在各种工作环境下的可靠性。

    通过以上对UTT30P04L-TN3-R的应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出其在多个领域中的广泛应用和优异性能。无论是在工业自动化、电源管理还是消费电子中,UTT30P04L-TN3-R都展现出了其不可替代的重要性和高效能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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