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场效应MOS管UTT30N10L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:79WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.052ΩVRDS(ON)ld通态电流:30AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    UTT30N10L-TN3-R是一种常用于功率电子设备中的场效应晶体管(MOSFET)。它具有高效的开关性能和良好的电流处理能力,适合在多种应用场景中使用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:UTT30N10L-TN3-R常用于电源管理系统中,如开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)。它的低导通电阻和快速开关速度使其能够有效地减少功率损耗,提高系统的整体效率。

    2. 电动工具:电动工具需要高效的功率传输和控制。UTT30N10L-TN3-R的高电流处理能力和坚固的耐压性能,使其成为电动工具电机控制电路中的理想选择。

    3. 电动汽车(EV):在电动汽车中,UTT30N10L-TN3-R被广泛应用于电池管理系统(BMS)和电机控制器中。其高可靠性和高效能有助于延长电池寿命,并提供稳定的动力输出。

    4. 工业自动化:工业自动化设备需要稳定和高效的电子元件来确保设备的可靠运行。UTT30N10L-TN3-R在机器人控制系统和自动化生产线中的应用,能够提升设备的响应速度和操作精度。

    5. 家电控制:在家用电器中,如空调、洗衣机等,UTT30N10L-TN3-R的应用可以提高能效并降低能耗,从而达到节能减排的目的。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UTT30N10L-TN3-R具有极低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在导通状态下,它能够以最小的损耗传输大电流,从而提高整体电路的效率和可靠性。

    - 高击穿电压:该器件具有高击穿电压(BVDSS),通常达到30V,这使其能够在高压环境中安全工作,避免因电压过高导致的损坏。

    - 高脉冲电流能力:UTT30N10L-TN3-R的脉冲电流处理能力非常出色,这对于需要处理瞬时高电流的应用场景尤为重要,如电动工具和汽车启动系统。

    - 快速开关速度:该器件的快速开关特性使其适用于高频应用,这不仅能提高系统的工作效率,还能有效降低开关损耗,从而减少发热问题。

    - 坚固的封装设计:UTT30N10L-TN3-R采用了坚固的封装设计,能够在恶劣的环境条件下稳定工作,同时也方便了散热管理,延长了器件的使用寿命。

    综上所述,UTT30N10L-TN3-R在多个领域中都展现了其优异的性能和广泛的应用价值。从电源管理到工业自动化,再到电动汽车和家用电器,它的低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度和坚固的封装设计都使其成为不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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