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场效应MOS管UTT25N08L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:25AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.12ΩVRDS(ON)ld通态电流:25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    UTT25N08L-TN3-R是一种常用于功率转换和电源管理的场效应晶体管(MOSFET)。在现代电子设备中,其广泛应用于以下几个领域:

    一、应用场景:

    1. 开关电源: 在开关电源中,UTT25N08L-TN3-R作为高效开关元件,能够实现高频率、高效率的电能转换,减少功率损耗,提高设备的能源利用率。

    2. 电动汽车: 在电动汽车的电机控制系统中,UTT25N08L-TN3-R被用作功率开关器件,能够快速响应控制信号,提供稳定的电流输出,确保电机的高效运行。

    3. 太阳能逆变器: 在太阳能发电系统中,UTT25N08L-TN3-R用于逆变器电路中,将直流电转换为交流电,并确保逆变器的高效运行和长寿命。

    4. 工业自动化: 在工业自动化设备中,UTT25N08L-TN3-R用于各种驱动电路,帮助实现高精度、高效率的自动控制,提升生产效率和设备可靠性。

    5. 通信设备: 在通信基站和数据中心等高功率密度设备中,UTT25N08L-TN3-R能够提供高效的电源管理,确保设备在高负载下稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UTT25N08L-TN3-R的导通电阻极低,使其在大电流通过时,能有效减少功率损耗,提升整体效率。这一点在需要高效能量转换的应用中尤为重要。

    - 高击穿电压: 该器件具有高达80V的击穿电压,能够承受高电压应用场景中的严苛工作条件,确保电路的稳定性和安全性。

    - 大电流承载能力:UTT25N08L-TN3-R能承载高达25A的电流,适合用于高电流需求的场合,如电动汽车和工业控制系统。

    - 快速开关速度: 其开关速度快,能够在高频率开关应用中减少开关损耗,提升整体系统的动态性能和效率。

    - 热性能优异:UTT25N08L-TN3-R具有优良的热性能,能在高温环境中稳定工作,延长器件寿命,减少散热设计的复杂度。

    通过上述详细的应用场景和参数特点分析,我们可以看出,UTT25N08L-TN3-R是一种性能优异、适用范围广泛的功率MOSFET器件,能够在多种高效能和高可靠性要求的应用中发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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