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场效应MOS管UTT18P06L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:2WID最大漏源电流:-18.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.07ΩVRDS(ON)ld通态电流:-18.3AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    UTT18P06L-TN3-R是一种常用于各种电子设备和系统中的功率MOSFET。其应用场景非常广泛,具体包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:UTT18P06L-TN3-R在电源管理系统中扮演着关键角色,特别是用于开关电源和电压调节器。它可以高效地控制电流和电压,确保系统的稳定运行。

    2. 电机驱动:在各种电机控制应用中,UTT18P06L-TN3-R被广泛应用于控制电机的启动、停止和速度调节。它的高开关速度和低导通电阻使其在电机驱动中表现出色。

    3. 工业自动化:在工业自动化设备中,UTT18P06L-TN3-R用于驱动和控制各种执行器和传感器。这种元件能够提供可靠的性能和高效率,适应工业环境的苛刻要求。

    4. 消费电子:UTT18P06L-TN3-R在消费电子产品中也有广泛应用,如智能手机、平板电脑和家用电器。它帮助这些设备实现更好的电源管理和能量效率。

    5. 光伏逆变器:在光伏系统中,UTT18P06L-TN3-R用于逆变器部分,以实现直流电向交流电的高效转换,提升太阳能发电系统的整体效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UTT18P06L-TN3-R的导通电阻非常低,通常在几毫欧范围内。这意味着在电流通过时,产生的功耗和热量较低,从而提高了效率和可靠性。

    - 高开关速度:UTT18P06L-TN3-R具有非常快的开关速度,能够在短时间内完成导通和关断操作。这使其在高频率应用中表现出色,减少了开关损耗。

    - 高耐压:UTT18P06L-TN3-R的耐压能力较强,可以承受较高的电压,这对于某些需要高电压操作的应用场景非常重要。其耐压值通常在60V到100V之间,确保了在高压条件下的安全运行。

    - 大电流承载能力:UTT18P06L-TN3-R能够承载较大的电流,这使其适用于大功率应用场景,如电机驱动和工业控制。其最大电流承载能力通常在几十安培以上。

    - 高可靠性:UTT18P06L-TN3-R设计上注重高可靠性,能够在各种恶劣环境下长期稳定工作。其封装形式也经过优化,确保了良好的散热性能和机械强度。

    综上所述,UTT18P06L-TN3-R凭借其低导通电阻、高开关速度、高耐压、大电流承载能力和高可靠性,成为了各种应用场景中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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