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场效应MOS管UTD36N03L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:1.9WID最大漏源电流:43.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    UTD36N03L-TN3-R是一款高性能的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),在许多电子和电力应用中有着广泛的应用场景和参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:UTD36N03L-TN3-R在电源管理系统中发挥重要作用,特别是在开关电源和直流转换器中。它具有高效的开关速度和低导通电阻,使其能够有效地控制电流流动,提升电源效率。

    2. 电机控制:在电机控制应用中,UTD36N03L-TN3-R的高电流承载能力和快速响应时间非常适合。无论是用于工业电机驱动还是家庭电器中的小型电机,这款MOSFET都能提供精确的控制和高效的能量传输。

    3. 电动汽车:随着电动汽车市场的快速发展,UTD36N03L-TN3-R在电动汽车电池管理系统和动力控制系统中有着重要应用。其高效能和可靠性能够满足电动汽车对高性能电子元件的严格要求。

    4. 消费电子:UTD36N03L-TN3-R也广泛应用于各种消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池管理和电源控制模块。其小尺寸和高效能使其成为这些便携式设备的理想选择。

    5. 太阳能发电:在太阳能发电系统中,UTD36N03L-TN3-R被用于逆变器和功率优化器中。其高效率和低损耗特性帮助提高整个系统的能源转换效率。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UTD36N03L-TN3-R拥有极低的导通电阻,这意味着它在导通状态下能够提供较低的能量损耗,从而提高整个电路的效率。

    - 高电流承载能力:UTD36N03L-TN3-R能够承载高达36安培的电流,使其适用于需要高电流的应用场景,如电机驱动和大功率转换器。

    - 快速开关速度:该型号的MOSFET具有极快的开关速度,能够在极短的时间内完成开关操作,从而适用于高频率的开关电源和信号调制应用。

    - 耐高压:UTD36N03L-TN3-R具有30伏的耐压能力,能够在较高电压环境下稳定工作,适应各种高压应用需求。

    - 高可靠性:该型号的MOSFET采用了先进的制造工艺和材料,具有高可靠性和长寿命,能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。

    综上所述,UTD36N03L-TN3-R以其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为现代电子设备和电力系统中的重要元件。其低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度、耐高压和高可靠性,使其在各种高性能应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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