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场效应MOS管UTD20N03L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:30AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.031ΩVRDS(ON)ld通态电流:15AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:1.2~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:25μA

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    UTD20N03L-TN3-R是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在笔记本电脑、台式计算机和服务器中,UTD20N03L-TN3-R常用于电源管理模块(Power Management Modules,PMMs)和电压调节器模块(Voltage Regulator Modules,VRMs),帮助提高电源效率,减少功耗。

    2. 电机驱动:在各种电机控制系统中,特别是电动汽车和工业自动化设备中,UTD20N03L-TN3-R作为开关器件,可以实现对电机的高效驱动和精确控制,提升系统性能。

    3. DC-DC转换器:UTD20N03L-TN3-R在DC-DC转换器中起着关键作用,能够高效地转换不同电压等级,广泛应用于便携式设备、通信设备和嵌入式系统中。

    4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,UTD20N03L-TN3-R用于逆变器部分,帮助将直流电转换为交流电,具有高效、稳定的特点,提升了系统的整体效率。

    5. UPS(不间断电源):在UPS系统中,UTD20N03L-TN3-R作为核心开关器件,确保在断电时快速切换到备用电源,保障设备的正常运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UTD20N03L-TN3-R的导通电阻非常低,仅为0.003欧姆左右,这意味着在大电流通过时,其功耗极小,有助于提高整体电路的效率和可靠性。

    - 高电流处理能力:该器件能够处理高达20A的连续电流,并能在短时间内承受更高的脉冲电流,适用于需要高电流处理能力的应用场合。

    - 快速开关特性:UTD20N03L-TN3-R具有极快的开关速度,这使其在高频应用中表现优越,减少了开关损耗,提高了效率。

    - 耐高压:其最大漏源电压(Vds)为30V,能够在较高的电压环境中稳定工作,广泛适用于各种需要高耐压特性的电路设计中。

    - 热性能优异:UTD20N03L-TN3-R的热阻较低,能够有效散热,保证在高功率运行时不易过热,延长器件寿命。

    综上所述,UTD20N03L-TN3-R的这些参数特点,使其在现代电子设备中具有不可替代的作用,不论是在效率提升还是在可靠性保证方面,都提供了极大的技术支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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