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场效应MOS管UT9435L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:1.25WID最大漏源电流:-4.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:-4AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    UT9435L-TN3-R是一款广泛应用于各类电子设备的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它在电源管理、负载开关和电池保护等领域中具有显著的应用优势。本文将详细介绍UT9435L-TN3-R的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在各种电子设备中,电源管理是一个至关重要的环节。UT9435L-TN3-R由于其低导通电阻和高效率的特性,常被用于直流-直流转换器和线性稳压器中,帮助提高整体电源效率,减少功耗。

    2. 负载开关:许多便携式设备,如智能手机、平板电脑等,需要在不同模块之间进行电流的切换。UT9435L-TN3-R的低门极电压和快速切换能力,使其非常适合用作负载开关,能够快速、可靠地控制电流的开启和关闭。

    3. 电池保护:在电池管理系统(BMS)中,保护电池免受过充电和过放电的影响是关键任务。UT9435L-TN3-R通过其稳定的导通电阻和优异的热性能,能有效地保护电池,延长电池的使用寿命。

    4. 通信设备:在路由器、交换机等通信设备中,电流的精准控制至关重要。UT9435L-TN3-R具有低漏电流和高可靠性的特点,确保在高频运行环境中依然保持良好的性能。

    5. 工业控制:在各种工业自动化设备中,UT9435L-TN3-R被广泛用于电机控制、继电器驱动等领域。其高耐压和大电流处理能力,使其能在苛刻的工业环境中稳定工作。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):UT9435L-TN3-R的导通电阻极低,这意味着在工作时产生的热量更少,能效更高。这对于延长设备寿命和提高系统效率非常重要。

    - 高电流承载能力:UT9435L-TN3-R可以承受较大的电流,通过其增强型硅工艺设计,使其在高电流工作状态下仍能保持稳定的性能。

    - 低门极电压(VGS(th)):UT9435L-TN3-R的门极阈值电压较低,使其能够在较低的电压下启动,这对于电源管理和低电压应用尤其重要。

    - 高耐压特性:UT9435L-TN3-R具备较高的击穿电压,能够在高压环境中安全运行,防止因电压过高而导致的损坏。

    - 快速开关速度:UT9435L-TN3-R具有快速的开关速度,使其在需要快速响应的电路中表现优异,减少了延迟,提高了系统的响应速度。

    综上所述,UT9435L-TN3-R凭借其优秀的电气性能和广泛的应用场景,成为各类电子设备中不可或缺的关键元件。其低导通电阻、高电流承载能力、低门极电压、高耐压特性以及快速开关速度,使其在各种复杂环境中依然能保持卓越的表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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