收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管UT85N03L-TN3-R参数

场效应MOS管UT85N03L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:85AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.006ΩVRDS(ON)ld通态电流:45AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    UT85N03L-TN3-R是一种常用于电源管理系统的MOSFET(场效应晶体管)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源适配器和充电器:UT85N03L-TN3-R常用于笔记本电脑、手机和其他便携设备的电源适配器和充电器中。其高效的电流传导性能有助于提升充电效率,减少能量损耗。

    2. 开关电源(SMPS):在开关电源中,UT85N03L-TN3-R可用于主开关元件,帮助实现电能的高效转换。其快速开关特性和低导通电阻是实现高效率转换的关键。

    3. DC-DC转换器:UT85N03L-TN3-R在DC-DC转换器中起到核心作用,尤其是在高频应用中表现突出。它可以有效地将电压从一个级别转换到另一个级别,同时保持高效和低功耗。

    4. 电机驱动器:在电机控制系统中,UT85N03L-TN3-R可以作为功率开关,驱动各种类型的电机。其高电流处理能力和耐用性,使其在工业和消费类电机控制中广泛应用。

    5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,UT85N03L-TN3-R被用来管理电池组的充放电过程。其高效能和可靠性有助于延长电池寿命和提高系统安全性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):UT85N03L-TN3-R的导通电阻非常低,通常在几毫欧范围内。这使得它在导通状态下具有极低的功耗,从而提高了整体系统的能效。

    - 高电流处理能力:UT85N03L-TN3-R可以处理较大的电流,通常额定电流可以达到几十安培。这使其非常适合用于大功率应用中。

    - 快速开关速度:UT85N03L-TN3-R具有非常快的开关速度,其开关时间通常在纳秒级别。这种快速响应特性使其非常适合高频应用,如开关电源和DC-DC转换器。

    - 耐高压特性:UT85N03L-TN3-R的耐压能力较强,通常可以耐受几十到几百伏的电压。这使得它在高压环境下依然可以稳定工作,适应更多元化的应用需求。

    - 高效的热管理:UT85N03L-TN3-R设计时考虑了散热问题,其封装形式和材料选择有助于快速散热,降低器件的工作温度,提高其可靠性和使用寿命。

    综上所述,UT85N03L-TN3-R作为一种高性能的MOSFET,在电源管理、开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池管理系统等众多领域都有着广泛的应用。其低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度、耐高压特性以及高效的热管理等参数特点,使其成为众多高效能电子系统的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号