PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.017ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理:UT40N03L-TN3-R经常用于电源管理系统中,包括开关电源(SMPS)和电源适配器。这种MOSFET因其低导通电阻和高效能而成为电源转换和调节应用中的理想选择。
2. 电机控制:在电机控制系统中,UT40N03L-TN3-R可用于控制直流电机、步进电机等。这种晶体管能够快速开关,提供精确的电流控制和能量管理,确保电机运行的平稳和高效。
3. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,UT40N03L-TN3-R用于电池充电和放电控制。其低损耗和高开关速度能够提高电池系统的整体效率,延长电池寿命。
4. 自动化设备:UT40N03L-TN3-R广泛应用于各种自动化设备中,包括机器人和自动化生产线。这种晶体管能够处理高电流和高电压,确保设备的稳定运行。
5. 消费电子产品:在消费电子产品中,如智能手机、笔记本电脑和可穿戴设备,UT40N03L-TN3-R用于电源管理和电池保护模块,提供可靠的电源控制和保护功能。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):UT40N03L-TN3-R具有极低的导通电阻,这意味着在工作过程中产生的热量更少,效率更高。这使得它在高效电源管理和高功率应用中表现出色。
- 高脉冲电流能力:UT40N03L-TN3-R能够处理高脉冲电流,使其适用于需要快速响应的大电流应用场景,如电机驱动和开关电源。
- 高开关速度:这种MOSFET具有快速的开关特性,能够在高频应用中提供更好的性能。高开关速度减少了开关损耗,提高了系统的整体效率。
- 耐高压:UT40N03L-TN3-R设计能够承受较高的电压,这使得它适用于各种高压应用场景,如工业控制和汽车电子。
- 热管理性能:由于其低导通电阻和高效率,UT40N03L-TN3-R在高功率应用中能够有效地管理热量,减少散热需求,延长设备的使用寿命。
综上所述,UT40N03L-TN3-R是一种性能优越的MOSFET,适用于多种应用场景,包括电源管理、电机控制、电池管理系统、自动化设备和消费电子产品。其低导通电阻、高脉冲电流能力、高开关速度和耐高压等特点,使其成为许多高效、高性能电路设计中的首选器件。
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