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场效应MOS管UT3310L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:-10AV(BR)DSS漏源击穿电压:-20VRDS(ON)Ω内阻:0.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:-2.8AVRDS(ON)栅极电压:-4.5VVGS(th)V开启电压:-0.5~VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    UT3310L-TN3-R是一款高性能的场效应晶体管,广泛应用于各种电子电路中。其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:UT3310L-TN3-R在电源管理中表现出色,特别适用于DC-DC转换器、开关电源和线性稳压器等应用。它能够高效地控制电流和电压,提供稳定的电源输出,确保设备的正常运行。

    2. 电机驱动:在电机驱动领域,UT3310L-TN3-R经常用于步进电机、直流电机和无刷电机的控制电路。其低导通电阻和高开关速度使其能够快速响应电机的控制信号,提高电机的运行效率和精度。

    3. 照明控制:UT3310L-TN3-R在LED照明和其他照明控制电路中也有广泛应用。它可以精确调节LED的电流,保证光源的稳定性和长寿命。同时,它的高效能可以显著降低能耗,提升照明系统的能效。

    4. 消费电子:在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,UT3310L-TN3-R用于电源管理、音频放大器和充电管理等电路。其小尺寸和高效率使其非常适合集成到紧凑的电子设备中。

    5. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,UT3310L-TN3-R用于各种驱动和控制电路,如PLC控制器、传感器接口和工业电源等。它的高可靠性和耐用性确保了工业设备的长期稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:UT3310L-TN3-R具有极低的导通电阻,通常在毫欧级别。这意味着它在导通状态下的功耗非常低,能够有效降低电路的能量损失,提高整体效率。

    - 高开关速度:该型号晶体管的开关速度非常快,能够在纳秒级别内完成开关操作。这使得UT3310L-TN3-R非常适合高速开关电路和高频信号处理应用,能够显著提升系统的响应速度和性能。

    - 耐高压能力:UT3310L-TN3-R能够承受较高的漏源极电压,通常在30V以上。这使得它可以在高压环境中安全工作,适用于各种需要高电压驱动的应用场景。

    - 低栅极电荷:该型号具有较低的栅极电荷,这意味着驱动它所需的能量较少,可以降低驱动电路的功耗。此外,低栅极电荷还可以提高开关效率,减少开关损耗。

    - 小型封装:UT3310L-TN3-R采用紧凑的小型封装,这有助于减少电路板空间,适合高密度集成的电子设备。此外,小型封装还有助于提高散热性能,增强晶体管的可靠性和耐用性。

    通过以上详细描述,可以看出UT3310L-TN3-R在各类应用中表现出色,其卓越的参数特点使其成为各种高效电子电路的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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