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场效应MOS管UT30P03L-TN3-R参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-30AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:0.04ΩVRDS(ON)ld通态电流:-10AVRDS(ON)栅极电压:110VVGS(th)V开启电压:-1~-3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    UT30P03L-TN3-R是一款常用的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:UT30P03L-TN3-R常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和UPS系统中,作为开关元件,起到控制和稳压的作用。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统(BMS)和电机驱动中,UT30P03L-TN3-R起到关键的电流控制和保护作用,保证电池的安全和电机的高效运行。

    3. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,UT30P03L-TN3-R用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电,从而供电给家庭或电网。

    4. 工业自动化:在工业自动化设备中,UT30P03L-TN3-R用于控制电机和其他高功率设备,实现精确的电力控制。

    5. 消费电子:在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等设备中,UT30P03L-TN3-R用于电池保护电路和充电管理电路,保证设备的安全性和稳定性。

    二、参数特点:

    - 高电流能力:UT30P03L-TN3-R能够处理高达30A的电流,使其非常适合用于高功率应用场合。这种高电流处理能力确保了设备在高负荷下仍能稳定运行。

    - 低导通电阻:UT30P03L-TN3-R的导通电阻非常低,这意味着它在工作时的功耗较小,效率较高。低导通电阻也有助于减少发热,从而延长元件的使用寿命。

    - 耐高压:该MOSFET的漏源极电压(Vds)可达到30V,能承受较高的工作电压。这使得UT30P03L-TN3-R在许多需要高压操作的应用中具有优势。

    - 快速开关速度:UT30P03L-TN3-R具备快速的开关速度,能够迅速响应控制信号。这种特性对于高频率开关电路至关重要,有助于提高整个电路的效率和性能。

    - 热管理性能:UT30P03L-TN3-R设计上考虑了散热问题,具有良好的热管理性能。其封装方式使得热量能迅速散发,保证了元件在高温环境下的稳定性和可靠性。

    综上所述,UT30P03L-TN3-R不仅在应用场景上有广泛的适用性,而且在参数特性上也展现出优异的性能。这使得它成为许多电子设备和电力系统设计中的首选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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